GB/T 6616-2009半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測(cè)試方法 非接觸渦流法
發(fā)布時(shí)間： 2023-08-23 13:19:13 點(diǎn)擊： 450
GB/T 6616-2009半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測(cè)試方法 非接觸渦流法
規(guī)定了使用非接觸渦流法測(cè)試半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻的方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體器件和材料中硅片和硅薄膜的電阻率測(cè)試。
根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)，測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)包括測(cè)試裝置、探頭、信號(hào)發(fā)生器、測(cè)量?jī)x器和試樣臺(tái)等部分。測(cè)試時(shí)，將硅片或硅薄膜放在試樣臺(tái)上，將探頭放置在試樣上方，并調(diào)整探頭與試樣的距離。然后，通過(guò)信號(hào)發(fā)生器向探頭發(fā)送激勵(lì)信號(hào)，探頭產(chǎn)生渦流磁場(chǎng)，該磁場(chǎng)在試樣上產(chǎn)生感應(yīng)電流。同時(shí)，測(cè)量?jī)x器測(cè)量試樣的電阻值。
該方法的優(yōu)點(diǎn)是不需要接觸試樣表面，不會(huì)對(duì)試樣造成損*傷，測(cè)試速度較快，適合于自動(dòng)化測(cè)試。但需要注意的是，測(cè)試結(jié)果受到探頭與試樣距離、測(cè)試環(huán)境的溫度和濕度等因素的影響。因此，在進(jìn)行測(cè)試時(shí)，需要控制測(cè)試條件并采取必要的修正措施，以保證測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性。
GB/T 6616-2009標(biāo)準(zhǔn)提供了使用非接觸渦流法測(cè)試半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻的方法，對(duì)于評(píng)估半導(dǎo)體器件和材料的電性能具有重要意義。
硅薄膜薄層電阻是指硅薄膜在厚度小于1微米的薄膜材料中的電阻值。和硅片電阻率一樣，硅薄膜薄層電阻是衡量薄膜材料電性能的重要參數(shù)之一。
硅薄膜薄層電阻的測(cè)試方法有多種，其中包括四探針?lè)?、非接觸渦流法等。四探針?lè)ㄊ且环N常見(jiàn)的測(cè)試方法，它通過(guò)四個(gè)探針與硅薄膜接觸并施加電流，測(cè)量硅薄膜兩端的電壓，從而計(jì)算出硅薄膜的電阻值。非接觸渦流法是一種不接觸試樣的測(cè)試方法，它通過(guò)在試樣上方放置探頭并產(chǎn)生渦流磁場(chǎng)，在試樣上產(chǎn)生感應(yīng)電流，從而測(cè)量試樣的電阻值。
需要注意的是，硅薄膜薄層電阻的測(cè)試結(jié)果受到多種因素的影響，如測(cè)試溫度、濕度、薄膜材料的厚度、晶向等。因此，在測(cè)試時(shí)需要控制測(cè)試條件并采取必要的修正措施，以保證測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性。
硅薄膜薄層電阻在半導(dǎo)體器件和材料的研究和生產(chǎn)中具有重要意義。例如，通過(guò)改變薄膜材料的電阻值可以調(diào)節(jié)器件的電流和電壓特性，優(yōu)化器件的性能和設(shè)計(jì)。因此，硅薄膜薄層電阻的測(cè)試對(duì)于半導(dǎo)體器件和材料的研發(fā)和生產(chǎn)具有重要意義。
