GB/T 1551-2009 硅單晶電阻率測(cè)定方法
發(fā)布時(shí)間： 2021-12-23 13:09:45 點(diǎn)擊： 1201
GB/T 1551-2009 硅單晶電阻率測(cè)定方法
FT-300TZ兩探針電阻率測(cè)試儀
一、功能介紹：
適用于半導(dǎo)體材料企業(yè)、科研、高等院校及實(shí)驗(yàn)室分析半導(dǎo)體材料縱向電阻率；可測(cè)量橫截面積均勻的圓形、方形或矩形硅單晶的電阻率，試樣長(zhǎng)度與截面尺寸之比應(yīng)不小于3:1；配置測(cè)量平臺(tái)，正反向電流測(cè)量模式；液晶顯示，并帶有溫度補(bǔ)償功能，電阻率單位自動(dòng)選擇，可選購(gòu)PC軟件實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)和報(bào)表管理；提供中文或英文兩種語言操作界面選擇.
二.參照標(biāo)準(zhǔn)：
GB/T 1551-2009 硅單晶電阻率測(cè)定方法-方法2直流兩探針法；
SEMI MF 397-1106<<硅棒電阻率測(cè)定兩探針法>>
